PBHV8115T T/R

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

PBHV8115T T/R datasheet

• Маркировка
  PBHV8115T T/R
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PBHV8115T T/R Collector- Base Voltage Vcbo: 400 V Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 150 V Configuration: Single Dc Current Gain Hfe Max: 100 at 50 mA at 10 V Emitter- Base Voltage Vebo: 6 V Factory Pack Quantity: 3000 Gain Bandwidth Product Ft: 30 MHz Maximum Dc Collector Current: 1 A Maximum Operating Temperature: + 150 C Maximum Power Dissipation: 300 mW Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236AB Part # Aliases: PBHV8115T,215 Product Category: Transistors Bipolar - BJT Rohs: yes Transistor Polarity: NPN
• Количество страниц
  12 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PBHV8115T T/R.pdf
Файл формата Pdf 107,79 KB